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砷化镓(GaAs)晶体及基片
简介:
GaAs是继Si之后研究最深入、应用最广泛的一种新型半导体材料。它具有迁移率高、禁带宽度大、耐高温等特点。主要应用于高频通讯、无线网络及光电子领域,如LED发光器、太阳能电池板等。 特点:可提供本征、轻掺杂、重掺杂(掺Si、Cr、Fe或Zn)的单晶GaAs片
参数: