-
实验室仪器设备
-
材料
联系我们
4006-555-262
联系电话：
谢工 13794339022 （微同）
联系微信：
半导体单晶基片
高温超导薄膜单晶基片
磁性、铁电及压电薄膜单晶基片
闪烁晶体及基片
声学及光学晶体
GaN薄膜单晶基片
III-V或II-VI化合物晶体基片
卤化物晶体及基片
金属基片
石英、玻璃基片
陶瓷基片
其他衬底材料
硅酸铋（ Bi12SiO20）
来源：广州昊诺实验室设备有限公司
发布日期：2019-05-08
硅酸铋（ Bi12SiO20）
用途：ＢＧＯ有多种同素异构体。其中Bi4Ge3O12为立方晶系，点群43m。熔点1050℃。在可见光、X射线、α和γ射线的激发下可产生荧光。激发光谱305nm，荧光光谱480～510nm，光输出温度系数-1％/℃，临界能量10.5MeV。具有良好的闪烁性能，不吸潮、抗冲击，易于加工，化学性能稳定，不存在因掺杂不均引起的发光强度不均匀问题。有效原子系数高，荧光衰减时间短，有利于快速计算。用提拉法或下降法在大气气氛下生长。为高能射线的闪烁探测材料，用于正负电子对撞机。
参数：
