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MgAl6O10单晶及基片
简介:
MgAl6O10单晶是最近发现的一种GaN和ZnO外延生长用新型衬底材料。与MgAl2O4晶体相比,MgAl6O10单晶与GaN的热膨胀失配和晶格失配更小。与GaN的热膨胀失配为2.2×10−6 K−1,晶格失配为−11.5%。此外,MgAl6O10单晶由于熔点较MgAl2O4晶体低,更易于生长大尺寸和高质量的晶体。实验证明,在MgAl6O10单晶衬底上制备的GaN和ZnO器件的发光性能比蓝宝石有所提升。
参数: